出产2纳米的利器!本钱高达3亿欧元,High

近来,High荷兰。出产半导体。纳米设备制作商阿斯麦(ASML)CEOPe。利达亿te。器本钱高r Wennink 表明,欧元虽然有些供货商阻止,High但年末将照方案,出产推出下一代代。纳米产品。利达亿线首款产品-High NA EUV。器本钱高

高数值孔径(High NA) EUV。欧元光刻机。High只要货车巨细,出产但每台本钱超越3亿欧元。纳米与相机相同,高数值孔径 (High NA) EUV 微影曝光设备将从更宽视点搜集光线,分辨率进步 70%。对抢先。半导体制作。商出产先进半导体。芯片。是不可或缺的设备,十年内出产面积更小、功能更好的芯片。

ASML是欧洲最大半导体设备商,主导全球光刻机设备商场,光刻机是半导体制作关键步骤,但高数值孔径(High NA)EUV,Peter Wennink指有些供货商进步产能及供给恰当技能遇到困难,导致延误。但即便如此,第一批产品仍会在年末推出。

现在,EUV光刻机能够支撑。芯片制作。商将芯片制程推进到3nm制程左右,可是假如要继续推进到2nm制程乃至更小的尺度,就需要更高数值孔径(NA)的High-NA光刻机。

比较现在的0.33数值孔径的EUV光刻机,High-NA EUV光刻机将数值孔径提高到0.55,能够进一步提高分辨率(依据瑞利公式,NA越大,分辨率越高),从0.33 NA EUV的13nm分辨率提高到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率(经过多重曝光可支撑2nm及以下制程工艺芯片的制作)。

商场只要台积电、。英特尔。、。三星。、SK 海力士和美光运用ASML 产品。现在EUV光刻机设备每套价格超越2亿美元。英特尔此前曾对外表明,其将首先取得业界第一台High-NA EUV光刻机。依据英特尔的规划,其将在2024年首先量产。Intel。20A和Intel 18A工艺,届时或将有部分使用High-NA EUV光刻机。